[26p-E203-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [26p-E203-5] Performances of AlGaN-based UV-B laser diode fabricated on periodic concavo-convex AlN patterns

〇(B)Ryosuke Kondo¹, Tomoya Omori¹, Kazuki Yamada¹, Ryota Hasegawa¹, Ayumu Yabutani¹, Eri Matsubara¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, HIdeto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:semiconductor, nitride, ultraviolet laser

AlGaN 紫外半導体レーザは医療や工業など多くの分野での実用化が期待されている。本グ ループでは 1µm の周期的な凹凸パターン加工を施した AlN 上に AlGaN を成長させる手法により、UV-B 半導体レーザの室温パルス発振を実現した。本報告では、室温・パルス駆動で評価しパワーメータを用いて光出力を測定した。さらに測定結果から注入効率と内部ロスについて算出した。