[26p-E203-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [26p-E203-5] ナノパターン加工を施した AlN 上に形成した AlGaN 系 UV-B 半導体レーザの特性

〇(B)近藤 涼輔¹、大森 智也¹、山田 和輝¹、長谷川 亮太¹、薮谷 歩武¹、松原 衣里¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・地域イノベ)

キーワード：半導体、窒化物、紫外レーザ

AlGaN 紫外半導体レーザは医療や工業など多くの分野での実用化が期待されている。本グ ループでは 1µm の周期的な凹凸パターン加工を施した AlN 上に AlGaN を成長させる手法により、UV-B 半導体レーザの室温パルス発振を実現した。本報告では、室温・パルス駆動で評価しパワーメータを用いて光出力を測定した。さらに測定結果から注入効率と内部ロスについて算出した。