田口義士

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発表者・著者、共著者

2023年3月16日(木) 10:30 〜 12:00 E102 (12号館)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:45 〜 12:00

[16a-E102-6] Mist CVD法により成長したα-In₂O₃薄膜の低キャリア濃度化とMOSFET製作

〇田口義士¹、山寺真理¹、山本拓実¹、林佑哉¹、村山衛¹、小川広太郎¹、本田徹¹、尾沼猛儀¹、金子健太郎²、相川真也¹、藤田静雄³、山口智広¹ (1.工学院大、2.立命館大、3.京都大)