09:30 〜 11:30 [15a-PA01-11] SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究 ―ステップとC原子吸着の関係― 〇(M1)福田 槙哉1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)