16:15 〜 16:30 △ [15p-B410-12] 絶縁体上における高電子移動度GeSn薄膜の低温合成 〇野沢 公暉1、西田 竹志1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員)