13:15 〜 13:45 [16p-A403-2] [第14回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 表面ラフネス散乱を抑制する為に電子谷の異方性を利用した極薄膜nMOSFET のチャネル材料と面方位の最適設計 〇隅田 圭1、陳 家驄1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)