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[16p-A403-2] [第14回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 表面ラフネス散乱を抑制する為に電子谷の異方性を利用した極薄膜nMOSFET のチャネル材料と面方位の最適設計
キーワード：半導体、表面ラフネス散乱、移動度
極薄膜ナノシートチャネルは先端ロジックの将来ノードにおいて最も有望な構造である. しかしながら, 極薄膜チャネルでは表面ラフネス散乱によって移動度が大幅に劣化することが課題であり, CMOS応用に十分な2–3 nmの膜厚範囲において, 2次元/3次元半導体の移動度の優位性は明らかではない. 従って, 本研究では各種材料・面方位で2 nmの膜厚まで移動度を評価し, 極薄膜チャネルにおける最適なチャネル材料と面方位を明らかにした.