15:45 〜 16:00 △ [16p-B508-10] Al2O3低温成膜化によるInGaAs界面準位密度低減メカニズムの解明 〇中村 圭吾1、新井 龍志1、大塚 悠介1、松本 良輔1、押山 到1、吉田 慎一1、平野 智之1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)