[16p-B508-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [16p-B508-10] Investigation of InGaAs interface trap density reduction mechanism by low temperature deposition Al₂O₃

〇Keigo Nakamura¹, Ryoji Arai¹, Yusuke Ohtsuka¹, Ryosuke Matsumoto¹, Itaru Oshiyama¹, Shinichi Yoshida¹, Tomoyuki Hirano¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:InGaAs, Al2O3, interface trap

InGaAsフォトダイオードにおいて、InGaAs/絶縁膜の界面準位低減が重要である。先行研究において、Al₂O₃成膜温度の低温化による界面準位低減が報告されている。要因として、InGaAs表面結合状態やAl₂O₃膜中水素の影響が想定されるが明確化されていない。今回、界面準位密度を表面結合状態や膜中水素量と比較することで、Al₂O₃低温成膜化による界面準位低減メカニズムの解明を試みた。