一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
10:30 〜 10:45
〇上田 遼1、西中 浩之1、永岡 達司2、三宅 裕樹2、吉本 昌広1 (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)菊池 瑛嗣1,2、服部 太政3、大塚 知紀3、金子 健太郎2 (1.京大院工、2.立命館大総研、3.立命館大理工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇草下 圭太1、梶 亮介1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大 シス工、2.総研)
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11:15 〜 11:30
〇(D)Han XU1、Tomohito Sudare1,4、Yumie Miura1,4、Ryo Nakayama1,4、Ryota Shimizu1、Naoomi Yamada2、Kentaro Kaneko3、Taro Hitosugi1,4 (1.Tokyo Tech.、2.Chubu Univ.、3.Ritsumeikan Univ.、4.Univ. Tokyo)
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11:30 〜 11:45
〇山本 拓実1、田口 義士1、山田 梨詠1、永井 裕己1、関口 敦1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
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11:45 〜 12:00
〇田口 義士1、山寺 真理1、山本 拓実1、林 佑哉1、村山 衛1、小川 広太郎1、本田 徹1、尾沼 猛儀1、金子 健太郎2、相川 真也1、藤田 静雄3、山口 智広1 (1.工学院大、2.立命館大、3.京都大)
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