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[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年3月16日(木) 13:30 〜 16:45 E102 (12号館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[16p-E102-1] ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長の成長温度依存性

〇加藤颯真¹、山下修平¹、和田邑一¹、高根倫史³、山藤祐人¹、城川潤二朗¹、松倉誠⁴、小島孝広⁴、四戸孝⁵、出浦桃子²、金子健太郎³、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.(株)オキサイド、5.(株)FLOSFIA)

13:45 〜 14:00

[16p-E102-2] (001) FZ成長ε-GaFeO₃基板上にミストCVD成長したκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田修¹、西中浩之²、池永訓昭³、蓮池紀幸²、吉本昌広² (1.明治大、2.京都工繊大、3.金沢工大)

14:00 〜 14:15

[16p-E102-3] 準粒子自己無撞着GW法による酸化ガリウムの電子構造と誘電特性

〇村中和輝¹、兵頭功¹、パルデデチャンドロ¹、小幡正雄¹、小田竜樹¹ (1.金沢大)

14:15 〜 14:30

[16p-E102-4] 垂直ブリッジマン法で育成したβ-Ga₂O₃の線状ボイドの評価

〇(M1)小林由登¹、干川圭吾¹、太子敏則¹ (1.信州大工)

14:30 〜 14:45

[16p-E102-5] マスクレス手法によるα-Ga₂O₃の転位密度低減

〇大島祐一¹、安藤裕之²、四戸孝² (1.物材機構、2.FLOSFIA)

14:45 〜 15:00

[16p-E102-6] ラマン分光によるサファイア基板上選択成長α-Ga₂O₃の相転移温度の面内依存性の評価

〇神野莉衣奈¹、神崎正美²、深津晋¹ (1.東大総合、2.岡山大)

15:00 〜 15:15

[16p-E102-7] α-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子のバンド構造解析

〇河村貴宏¹、秋山亨¹ (1.三重大院工)

15:30 〜 15:45

▲ [16p-E102-8] Transient Photocapacitance Spectroscopy of Deep-levels in (001) β-Ga₂O₃

〇(DC)Fenfen Fenda Florena¹、Aboulaye Traore¹、Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba)

15:45 〜 16:00

[16p-E102-9] 多光子励起過程を利用したβ-Ga₂O₃の時間分解フォトルミネッセンス分光

西河巴賀¹、〇谷川智之¹、本田啓人¹、後藤健²、村上尚²、熊谷義直²、田中敦之³、本田善央³、天野浩³、上向井正裕¹、片山竜二¹ (1.阪大院工、2.農工大、3.名大IMaSS)

16:00 〜 16:15

[16p-E102-10] (001)面β-Ga₂O₃基板に対する異方性HClガスエッチング

〇大島孝仁¹、大島祐一¹ (1.物材研)

16:15 〜 16:30

▲ [16p-E102-11] Improvement in Electrical Properties of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes by Nitrogen Radical Treatment

〇Zhenwei Wang¹、Takahiro Kitada^1,2、Sandeep Kumar¹、Masataka Higashiwaki^1,2 (1.NICT、2.OMU)

16:30 〜 16:45

[16p-E102-12] 加熱β-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜

〇中込真二¹、安田隆¹ (1.石巻専修大理工)

セッション情報

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[16p-E102-1] ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長の成長温度依存性

[16p-E102-2] (001) FZ成長ε-GaFeO₃基板上にミストCVD成長したκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜中の欠陥のTEM評価

[16p-E102-3] 準粒子自己無撞着GW法による酸化ガリウムの電子構造と誘電特性

[16p-E102-4] 垂直ブリッジマン法で育成したβ-Ga₂O₃の線状ボイドの評価

[16p-E102-5] マスクレス手法によるα-Ga₂O₃の転位密度低減

[16p-E102-6] ラマン分光によるサファイア基板上選択成長α-Ga₂O₃の相転移温度の面内依存性の評価

[16p-E102-7] α-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子のバンド構造解析

▲ [16p-E102-8] Transient Photocapacitance Spectroscopy of Deep-levels in (001) β-Ga₂O₃

[16p-E102-9] 多光子励起過程を利用したβ-Ga₂O₃の時間分解フォトルミネッセンス分光

[16p-E102-10] (001)面β-Ga₂O₃基板に対する異方性HClガスエッチング

▲ [16p-E102-11] Improvement in Electrical Properties of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes by Nitrogen Radical Treatment

[16p-E102-12] 加熱β-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜

認証

セッション情報

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▲ [16p-E102-8] Transient Photocapacitance Spectroscopy of Deep-levels in (001) β-Ga2O3

▲ [16p-E102-11] Improvement in Electrical Properties of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes by Nitrogen Radical Treatment

認証

[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [16p-E102-8] Transient Photocapacitance Spectroscopy of Deep-levels in (001) β-Ga₂O₃

▲ [16p-E102-11] Improvement in Electrical Properties of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes by Nitrogen Radical Treatment