[15a-A301-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15a-A301-3] Correlation between density of color centers at SiO₂/SiC interfaces and MOS interface properties

〇Takato Nakanuma¹, Kosuke Tahara², Taishi Kimura², Katsuhiro Kutsuki², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹, Takuma Kobayashi¹ (1.Osaka Univ., 2.Toyota Central R&D Labs. Inc.)

Keywords:SiC, MOS device, Single photon source

量子センサ等への応用で、SiC中の単一光子源（SPS）の活用が期待されている。実際、MOSデバイスで重要なSiO₂/SiC界面において、高輝度な発光を示すSPSが報告されている。しかし、発光中心の制御が課題となっている。我々は酸化後のCO₂熱処理によって、界面発光中心の密度及び光学特性が制御可能であることを見出した。本研究では、界面発光中心の密度とMOSデバイスの電気的特性の相関を詳細に調査した。