The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A301-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Wed. Mar 15, 2023 9:30 AM - 11:30 AM A301 (Building No. 6)

Takeshi Tawara(富士電機)

10:00 AM - 10:15 AM

[15a-A301-3] Correlation between density of color centers at SiO2/SiC interfaces and MOS interface properties

Takato Nakanuma1, Kosuke Tahara2, Taishi Kimura2, Katsuhiro Kutsuki2, Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1, Takuma Kobayashi1 (1.Osaka Univ., 2.Toyota Central R&D Labs. Inc.)

Keywords:SiC, MOS device, Single photon source

量子センサ等への応用で、SiC中の単一光子源(SPS)の活用が期待されている。実際、MOSデバイスで重要なSiO2/SiC界面において、高輝度な発光を示すSPSが報告されている。しかし、発光中心の制御が課題となっている。我々は酸化後のCO2熱処理によって、界面発光中心の密度及び光学特性が制御可能であることを見出した。本研究では、界面発光中心の密度とMOSデバイスの電気的特性の相関を詳細に調査した。