[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-A301-4] 偏光観察によるSiC基板中の貫通混合転位の識別

〇松原 康高¹、村山 健太²、原田 俊太¹ (1.名古屋大学、2.Mipox)

キーワード：半導体、偏光観察、転位

本研究では，SiC基板中に存在する貫通混合転位について，偏光観察像と弾性論，光弾性理論に基づくシミュレーション像を比較することにより貫通混合転位の識別を試みた．その結果，コントラストの強さや特徴的なコントラスト形状をもとに、偏光観察像からバーガースベクトルの刃状成分に[1-100]を含む貫通混合転位を識別できることが示唆された．