[15a-A301-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A301-5] 3D observation of dislocations inside SiC using a focused polarized laser

Hisaya Sato¹, Tomohisa Kato², Shunta Harada³, 〇Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.AIST, 3.Nagoya Univ.)

Keywords:SiC, dislocation, polarized light

SiCには転位をはじめとする結晶欠陥が多数内在し、それらの欠陥がデバイス性能・信頼性を悪化させる。そのため、SiCデバイスの普及にはウエハの高品質化とともに評価技術が重要である。本研究では集光した偏光レーザーを用いることにより、SiC内部の転位の3次元観測を試みた。