[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A301-5] 集光した偏光レーザーを用いたSiC内部の転位の3次元観測

佐藤 寿弥¹、加藤 智久²、原田 俊太³、〇加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研、3.名大)

キーワード：SiC、転位、偏光

SiCには転位をはじめとする結晶欠陥が多数内在し、それらの欠陥がデバイス性能・信頼性を悪化させる。そのため、SiCデバイスの普及にはウエハの高品質化とともに評価技術が重要である。本研究では集光した偏光レーザーを用いることにより、SiC内部の転位の3次元観測を試みた。