[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A301-7] 4H-SiC中の単一ショックレー型積層欠陥の拡張速度に与える基底面転位構造の影響

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：炭化珪素、UV照射、積層欠陥

基底面転位が単一ショックレー型積層欠陥に拡張することは広く知られている。拡張速度に関しては、90°Siコア部分転位(PD)の動きは30°SiコアPDよりも速いという記述はあるものの、定量的な実験比較に関する報告はなかった。今回、実験的に90°SiコアPDの動きを捉えて、30°SiコアPDの拡張速度との比を求めた。また、30°SiコアPDの中には拡張速度が非常に小さいグループが存在することを見出し、構造推定を行った。