[15a-A301-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15a-A301-8] Studies on Warpage and Basal Plane Dislocation of Thick SiC Epitaxial Wafers with a Diameter of 150 mm

〇Fumihiro Fujie¹, Koichi Murata¹, Tsubasa Shiono², Naoto Ishibashi², Yuichiro Mabushi², Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI, 2.Resonac Corp.)

Keywords:epitaxial wafer, dislocation, warp

高耐圧用途のSiCデバイスにおいては厚膜エピタキシャルウエハが必要であり、大きな素子面積や長期信頼性を確保できる高い結晶品質が求められる。本報告では、量産レベルの150 mm径厚膜SiCエピタキシャルウエハ（レゾナック社製）を対象として、反りと転位の評価を実施した。エピタキシャル膜厚の増加に伴いウエハの反りは増加したものの、界面近傍において基底面転位の生成・移動は認められず、高い結晶品質を有することが確認された。