[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-A301-8] 150 mm径厚膜SiCエピタキシャルウエハの反り・基底面転位の評価

〇藤榮 文博¹、村田 晃一¹、塩野 翼²、石橋 直人²、馬渕 雄一郎²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.レゾナック)

キーワード：エピタキシャルウエハ、転位、反り

高耐圧用途のSiCデバイスにおいては厚膜エピタキシャルウエハが必要であり、大きな素子面積や長期信頼性を確保できる高い結晶品質が求められる。本報告では、量産レベルの150 mm径厚膜SiCエピタキシャルウエハ（レゾナック社製）を対象として、反りと転位の評価を実施した。エピタキシャル膜厚の増加に伴いウエハの反りは増加したものの、界面近傍において基底面転位の生成・移動は認められず、高い結晶品質を有することが確認された。