[15a-D215-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

△ [15a-D215-4] 六方晶TbFeO₃薄膜のスピン・電荷における反フェローフェロ相転移

〇Liu Yaoming¹、Chen Binjie¹、太田 裕道²、片山 司^2,3 (1.北大情報院、2.北大電子研、3.JSTさきがけ)

キーワード：マルチフェロイック、強誘電性、強磁性

希土類鉄酸化物（RFO）はマルチフェロイック材料として知られている。特に準安定の六方晶フェーズ(h-)は室温でも大きな自発分極を示すことが知られている。RFOシステムの強誘電性と磁性はR³⁺イオンの半径に大きく依存し、今までDy³⁺−Lu³⁺は報告されてきたが、Tb³⁺はその合成の難しさによって、まだその特性が明らかにされていない。当研究では、ITO下部電極を用いて、h-TbFeO₃薄膜の製作に成功したので、その物性について紹介したいと思います。