[15a-D511-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D511-11] 炭化水素分子イオン注入ウェーハ表面における再結晶化挙動のTCADシミュレーション解析

〇小林 弘治¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、廣瀬 諒¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子イオン注入、再結晶化

CMOSイメージセンサ向けに重金属ゲッタリング能力を強化した高ドーズ量炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの開発を検討している。高ドーズ量炭化水素分子イオン注入後には結晶性回復熱処理が必要となるが、表面の離散的アモルファスにおける再結晶化挙動は明確ではなく、実験的に評価することは難しい。そこで今回、微視的な再結晶化挙動の解析を目的として、TCADプロセスシミュレーションを実施した。