The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D511-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

Wed. Mar 15, 2023 9:00 AM - 12:00 PM D511 (Building No. 11)

Atsuhiko Fukuyama(Miyazaki Univ.), Haruo Sudo(GlobalWafers)

10:45 AM - 11:00 AM

[15a-D511-7] Matching of SiO2 crystal structures to a Si crystal

Eiji Kamiyama1,2, Koji Sueoka2 (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:silicon, SiO2, crystal structure

SiO2は,Si結晶と親和性の高い材料で, Si系MOSデバイスのゲート絶縁膜として,また,デバイスで使用される多様な金属に対する有効なゲッタリング源となるSiウェーハ中の微小酸素析出物として,広く用いられている.これらのSiO2は,アモルファス構造とされ,結晶周期性を有さないものとみなされているが,いずれもSi結晶を酸化することで得られるものであることから,かつてSi結晶であったことの何等かの履歴を有するという推測も成り立つ.そこで,本講演では,Si結晶と既知のSiO2結晶の整合性について論ずる.