[15p-A205-1~12] Recent progresses of device applications of low-dimensional materials

[15p-A205-6] Fabrication of large area Graphene device

〇Kazunori Kawata¹, Takako Nakamura¹, Syunsuke kawaki¹, Yoshinori Koga¹, Masataka Hasegawa¹ (1.AirMembrane)

Keywords:graphene, FET

グラフェンの高移動度を利用したデバイスの開発が活発化してきている。工業的利用のためには大面積基板のデバイスが必要である。本研究ではフォトリソグラフィーによるグラフェンパターンの形成と金蒸着による電極形成を行いグラフェンFETを作製した。作製したFETデバイスについてIV測定により動作を確認した。CVD合成単層グラフェンの4inch大面積デバイスの作製に成功した。