[15p-A301-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A301-6] [第44回優秀論文賞受賞記念講演] 高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減

〇星乃 紀博¹、鎌田 功穂¹、神田 貴裕²、徳田 雄一郎²、久野 裕也²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.ミライズテクノロジーズ)

キーワード：炭化珪素（SiC）、結晶成長、転位低減

カーボンニュートラルの実現に向けて、パワー半導体の供給促進が重要な課題として挙げられる。SiCバルク結晶の高速成長技術ならびに高品質化は、SiCパワー半導体の生産性向上に資するものと考えられる。我々は、高温ガス法により、一般的な昇華法の結晶成長速度を大幅に上回る約3 mm/hの速度でSiC単結晶の結晶成長を可能にした。本発表では、高速成長で得たSiC結晶における結晶成長に伴う転位密度の低減を示す結果や、結果から推定される転位低減のメカニズムについて報告する。