[15p-A403-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15p-A403-2] Relationship between the grain boundary and the carrier lifetime in BaSi₂ films

〇Kosuke Hara¹, Keisuke Arimoto¹, Noritaka Usami² (1.Univ. of Yamanashi, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconducting silicide, thermal evaporation, carrier lifetime

新規太陽電池材料として注目されるBaSi₂は、結晶粒界がキャリアの再結合中心や散乱中心になりにくい興味深い性質を持つ。本研究では、成膜温度、膜厚、Si基板面方位を変えて様々な微細構造を持つBaSi₂薄膜を作製し、キャリア寿命を調べた。その結果、弱いながらも結晶粒界密度とキャリア寿命の間に負の相関を見出した。