[15p-A403-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-A403-7] CF₄/ArによるMg₂Si基板の反応性イオンエッチング特性

〇今泉 尚己¹、中村 陸斗¹、吉田 美沙²、津谷 大樹²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院、2.NIMS)

キーワード：フォトダイオード、Mg2Si、RIE

我々は安価で汎用普及可能な赤外受光素子としてMg₂Si-pn接合フォトダイオード(PD)の開発を進めている。今後、イメージセンサに応用するためには微細加工によって2次元アレイ構造を作製する必要がある。今回、CF₄/Arをプロセスガスに用いたRIEを行い、Mg₂Si基板のエッチング速度と表面状態を評価したので報告する。