The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15p-A403-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Wed. Mar 15, 2023 1:00 PM - 5:15 PM A403 (Building No. 6)

Haruhiko Udono(Ibaraki Univ.), Takashi Suemasu(Univ. of Tsukuba), Kenji Yamaguchi(QST)

2:30 PM - 2:45 PM

[15p-A403-7] Reactive Ion Etching Property of Mg2Si Substrates by CF4/Ar

〇Naoki Imaizumi1, Rikuto Nakamura1, Misa Yoshida2, Daiju Tsuya2, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:Photodiode, Mg2Si, RIE

我々は安価で汎用普及可能な赤外受光素子としてMg2Si-pn接合フォトダイオード(PD)の開発を進めている。今後、イメージセンサに応用するためには微細加工によって2次元アレイ構造を作製する必要がある。今回、CF4/Arをプロセスガスに用いたRIEを行い、Mg2Si基板のエッチング速度と表面状態を評価したので報告する。