[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-17] NbN電極上に作製したエピタキシャル (Al,Sc)N膜 の電気特性評価

〇(D)安岡 慎之介¹、大田 怜佳¹、岡本 一輝¹、清水 荘雄^2,3、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.物材研、3.JSTさきがけ)

キーワード：強誘電体、エピタキシャル膜、AlScN

c軸方向に一軸配向した(Al,Sc)N膜の分極反転が2019年に初めて実証され、その優れた特性から強誘電体メモリ等への応用が期待されている。膜厚方向の結晶均一性に優れるエピタキシャル膜に関する研究は、PtやTiN電極等を用いて行われているが、高品質な(Al,Sc)N膜の作製のためには格子ミスマッチの小さい電極上への作製が求められている。本研究では、格子整合性の高いNbN電極上にエピタキシャル(Al_0.8Sc_0.2)N膜を作製し、その電気特性評価及び信頼性評価を行った。