The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[15p-A404-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

Wed. Mar 15, 2023 1:00 PM - 6:30 PM A404 (Building No. 6)

Tomoaki Yamada(Nagoya Univ.), Takao Shimizu(NIMS), Hiroshi Uchida(Sophia Univ.), Minoru Noda(Kyoto Institute of Technology)

1:45 PM - 2:00 PM

[15p-A404-4] Investigation of the threshold voltage control of MFSFET with ferroelectric nondoped HfO2

〇Masakazu Tanuma1, Joong-Won Shin1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Inst. of Technology)

Keywords:Ferroelectric non-doped HfO2, MFSFET, RF magnetron sputtering

強誘電体HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々は界面層厚を低減したMFSFETの動作特性について報告した。今回、強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討を行ったので報告する。