1:45 PM - 2:00 PM
[15p-A404-4] Investigation of the threshold voltage control of MFSFET with ferroelectric nondoped HfO2
Keywords:Ferroelectric non-doped HfO2, MFSFET, RF magnetron sputtering
強誘電体HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々は界面層厚を低減したMFSFETの動作特性について報告した。今回、強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討を行ったので報告する。