[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-4] 強誘電性ノンドープHfO₂薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討

〇田沼 将一¹、Joong-Won Shin¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大院工)

キーワード：強誘電性ノンドープHfO2、強誘電体ゲートトランジスタ、RFマグネトロンスパッタ法

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々は界面層厚を低減したMFSFETの動作特性について報告した。今回、強誘電性ノンドープHfO₂薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討を行ったので報告する。