[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-11] PL法によるSiトレンチ側壁の結晶欠陥評価

〇(M2)門 龍翔¹、伊藤 佑太¹、慎 重赫¹、横川 凌^1,2、小椋 厚志^1,2、川勝 一斗³、吉際 潤³、幸一郎 嵯峨³、岩元 勇人³ (1.明治大理工、2.明大MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

キーワード：フォトルミネッセンス、Siトレンチ、酸素析出

半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、FinFETをはじめとした3次元構造の開発、実用化が進められている。Siトレンチを形成する際に用いられるドライエッチングでは、トレンチ側壁に印加されるダメージが問題視されている。これらはデバイスの性能向上の妨げとなる可能性があり熱処理による結晶回復が試みられているが、加工後にどのような欠陥が生じているかを詳細に評価した報告例はなく、これまで深い準位の領域での結晶欠陥や結晶回復の評価はできていなかった。
上記背景を鑑み、本研究では、結晶の様々な電子状態を反映するフォトルミネセンス(PL)を観測するPL法を用いて深い準位の欠陥を評価し、トレンチ加工時に生じる欠陥の特定及び熱処理による結晶状態のふるまいを理解することを目的とした。