[15p-B410-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[15p-B410-8] Effect of Grain-boundary in CLC-Si-TFT

〇Satoshi Takayama¹, Sasaki Nobuo^2,1, Uraoka Yukiharu¹ (1.NAIST, 2.Sasaki Consulting)

Keywords:laser anneal, LTPS

低温多結晶シリコン(LTPS)は,a-Siと比較して高いキャリア移動度を有するため,薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域として,ディスプレイなどへの活用が期待されている.連続波レーザーラテラル結晶化(CLC)による結晶化Siは500cm2/Vs以上のキャリア移動度が実現可能である.本研究では,測定を行ったTFTを剥離し,結晶性を調べることで高結晶性領域にTFTが作製されていることを確認した.