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[15p-B410-8] CLC-Si-TFTにおけるGrain-boundaryの影響
キーワード：レーザーアニール、低温ポリシリコン
低温多結晶シリコン(LTPS)は,a-Siと比較して高いキャリア移動度を有するため,薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域として,ディスプレイなどへの活用が期待されている.連続波レーザーラテラル結晶化(CLC)による結晶化Siは500cm2/Vs以上のキャリア移動度が実現可能である.本研究では,測定を行ったTFTを剥離し,結晶性を調べることで高結晶性領域にTFTが作製されていることを確認した.