[15p-B508-1~18] 12.2 Characterization and Materials Physics

[15p-B508-8] High frequency responses of Si-2x2 single molecule transistors

〇Eiji Tsuchihata¹, Takumi Nishinobo¹, Dongbao Yin¹, Fu Ishizuka¹, Ryo Shintani², Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech, 2.Osaka Univ.)

Keywords:Single-molecule transistor, Electron Beam Lithography, semiconductor

電子線リソグラフィおよび無電解金ナノめっき技術により、分子長サイズのギャップを有するヘテロエピタキシャル球状Au/Ptナノギャップ電極を作製した。作製した電極のナノギャップ間にSi2x2骨格をもち、両末端にチオール基をもつ分子を導入することで単分子トランジスタ(SMT)を作製した。直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加した際の交流電流を測定し、一次微分コンダクタンスのドレイン電圧依存性によりSMTの高周波特性を検討した。