[15p-E302-1~10] 時空間制御による新規超伝導デバイスの創出

[15p-E302-7] 鉄系超伝導体のFIB微細加工と対破壊電流密度測定への応用

〇北野 晴久¹、峯 直輝¹、宮沢 貴麿¹、神保 恒大郎¹、本山 雄基¹、小阪 裕太¹、為ヶ井 強²、孫 悦³ (1.青学大理工、2.東大院工、3.中国東南大)

キーワード：対破壊電流密度、FIB、鉄系超伝導体

第２種超伝導体の臨界電流は、外部磁場または電流印加により生成された渦糸磁束の運動に起因するデピニング機構に支配されるため、超伝導材料の臨界電流密度向上には人工的な強いピニング機構導入が重要となる。一方、超伝導センサーで多用される微細なブリッジ形状では、磁束侵入磁場の実効的増大と電流密度の空間均一性向上により、デピニング臨界電流密度をはるかに凌駕する電流密度領域で達成できる対破壊電流密度が測定できる。我々は、集束イオンビーム(FIB)加工技術を用いて、鉄系超伝導体Fe(Te,Se)単結晶から様々な面間・面内微小ブリッジ素子を作製し、パルス電流印加法による対破壊電流密度測定に成功した。本講演では、別の鉄系超伝導体Ba122に対する測定結果と共に、対破壊電流領域への到達に向けた素子作製方法や対破壊電流の検証方法及び超伝導センサーへの適用について議論する。