[15p-PA04-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[15p-PA04-2] 堆積後その場熱処理による低温酸化Si膜中残留OH基量の堆積温度依存性

〇普 迪¹、堀田 將¹ (1.北陸先端大)

キーワード：低温、OH基、後熱処理

以前から我々は、シリコーンオイル(SO)とオゾン(O₃)による低温酸化Si(SiO_x)膜の作製を検討してきたが、膜中には、絶縁性を阻害する多量のOH基が残留し、問題となっている。この残留OH基量の低減を最終目的として、膜堆積終了後、成長室内のその場で５分間の熱処理(後熱処理:post-heating)を行い、残留量増減の起源を検討した。その結果、堆積温度により後熱処理効果が大きく異なることを見出したので、それについて報告する。