[15p-PB03-1~15] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[15p-PB03-14] TMVSを原料として作製したSiO:CH微粒子堆積膜のRF出力依存性

〇中泉 有稀¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大院工、2.関東学院大材料表面研)

キーワード：CCP-CVD、SiO:CH、超撥水性

我々はCVD法によって作製されるSiO:CH微粒子を堆積させ，表面微細凹凸構造を有するSiO:CH微粒子堆積膜を形成するプロセスを研究してきた．原料にTMVSを使用した研究例は少なく，本研究ではRF出力が及ぼすSiO:CHの膜質および堆積状態に与える影響を明らかにすることを目的とした．マクロ画像からRF出力を上げると，駆動電極近傍では微粒子が生成する重合反応より解離反応が支配的であることによって，気相中で重合が起こらなかったと考えられる．