[16a-A205-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-A205-7] (001)GaAs基板上のGaAs_1-xBi_x薄膜の構造評価(1)熱処理した低温成長GaAs_1-xBi_x薄膜中の欠陥のTEM評価

〇上田 修¹、池永 訓昭²、堀田 行紘³、高垣 佑斗³、西山 文隆³、行宗 詳規⁴、石川 史太郎⁵、富永 依里子³ (1.明治大、2.金沢工大、3.広島大、4.愛媛大、5.北海道大)

キーワード：GaAsBi、MBE、欠陥

我々は、熱処理した低温成長GaAs_1-xBi_x結晶中の欠陥をTEM評価した。その結果、以下のように既報とやや異なる欠陥挙動を見出した：1) As析出物がepi/sub界面にのみ形成されている。2) Bi-rich GaAsBi析出物およびBi析出物は、薄膜中に概ね均一に分布しているが、Bi析出物の形状は上層部及び下層部で、それぞれV字状及びΛ状となっている。これらの相違点ついて、欠陥の形成の観点で議論する。