[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [16a-A301-6] 4H-SiC/ゲート絶縁膜界面への窒素導入プロセスの低温化の検討

〇佐々木 琉¹、中島 辰海¹、女屋 崇²、喜多 浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

キーワード：SiC、界面窒化、MOS

4H-SiC/ゲート絶縁膜界面へのNOアニール処理を低温化(1000℃)しても，十分なパッシベーションができる条件を探索した。その結果，低温化によってSiC表面の熱酸化が大幅に抑制されるにもかかわらず，SiO₂の薄い堆積膜を用いることで従来手法と同等の窒素導入が可能であることが確認された。このように窒素導入の効率は処理温度だけでなく，絶縁膜の形成手法や種類によっても向上できることを見出した。