[16a-A403-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16a-A403-3] Characterization of Detuning Noise in a Si Quantum Dot

Kazuma Nakagoe¹, 〇Yuto Arakawa¹, Ryutaro Matsuoka¹, Ryuta Tsuchiya², Toshiyuki Mine², Digh Hisamoto², Hiroyuki Mizuno², Raisei Mizokuchi¹, Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech, 2.R&D Group, Hitachi Ltd.)

Keywords:Si quantum dot, chage noise, correlated noise

シリコン量子ドットに生じる電荷ノイズを理解することは、量子ビットの操作精度向上に繋がる重要課題である。これまで単一量子ドットが感じ取る電荷ノイズについて盛んな議論が行われてきたのに比べ、ドット間相関を持つノイズについては理解が進んでいない。本研究では二重量子ドット間に生じるデチューニングノイズを極低温環境下で評価した。講演では、このノイズの温度依存性等についても議論する予定である。