[16a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [16a-A403-2] 高周波反射測定を用いたnMOSシリコン量子ドットの電荷ノイズ評価

〇荒川 雄登¹、中越 一真¹、松岡 竜太朗¹、土屋 龍太²、峰 利之²、久本 大²、水野 弘之²、溝口 来成¹、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.日立研開)

キーワード：シリコン量子ドット、電荷ノイズ、高周波反射測定

シリコン量子ドットの電荷ノイズ特性を理解することで、シリコンスピン量子ビットの情報保持時間や操作精度の向上が期待できる。本研究では、高速で高感度なシリコン量子ビット測定に用いられる高周波反射測定法によりn-MOS型シリコン量子ドットの電荷ノイズを評価した。極低温下で高精度量子ビットに用いられる水準の雑音レベルを実現し、少数の二準位欠陥が支配していることを示唆するローレンツ型スペクトルを観測した。