[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[16a-A408-1] ラマン分光法によるSi基板上ダイヤモンド単結晶中のNV⁰欠陥評価

〇山崎 翔平¹、山岸 綾人¹、萩原 大智¹、塚本 貴広¹、一色 秀夫¹ (1.電通大)

キーワード：ダイヤモンド、ラマン分光法

ダイヤモンドはワイドバンドギャップ、高い絶縁破壊電圧、高い熱伝導率を持つことから、省エネルギー化に貢献可能な次世代のパワーデバイス半導体材料として注目されている。パワーデバイスとして実用化するためにはダイヤモンド結晶内の欠陥の抑制が必要である。これまで、Si基板上に作製したダイヤモンド単結晶の結晶性をラマン分光法によって評価してきた。本発表ではラマン分光法によるSi基板上ダイヤモンド単結晶中のNV⁰欠陥の評価について報告する。