[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[16a-A408-10] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] 高出力高速相補型インバータ実現に向けたC-Si-O側壁チャネルを用いたノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの開発

〇成田 憲人¹、太田 康介¹、付 裕¹、若林 千幸¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、縦型

本研究では超高真空下でSi分子線堆積(Si-MBD)により形成した、酸化シリコン終端ダイヤモンド(C-Si-O)側壁チャネルを持つ縦型ダイヤモンドを作製した。その結果、閾値電圧(V_th): -7.1 V, 最大ドレイン電流密度(I_D): 187 mA/mm, 6240 A/cm²が得られ、ノーマリーオフ動作縦型ダイヤモンドにおいて最高値となる最大ドレイン電流密度を達成した。