[16a-A409-1~10] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[16a-A409-7] 導波路加工偏差モニタリングによる方向性結合器の分岐比ばらつき解析

〇堀川 剛¹、西山 伸彦^1,2,3 (1.東工大工、2.東工大IIR、3.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、導波路、方向性結合器

再現性の高いシリコンフォトニクス(SiPh)集積回路製造に向け、加工偏差のモニタリング制御、及び偏差に対してロバストな光素子の設計・検証が課題として挙げられる。本稿では、複数の伝搬モードを用いるモニタリング手法による高精度の導波路加工偏差の抽出結果を基に方向性結合器の分岐比ばらつきについて解析を行った結果を報告する。