[16a-A409-1~10] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[16a-A409-9] 光電気FIR等化によるSiフォトニック結晶光変調器の広帯域化

〇(DC)川原 啓輔¹、馬場 俊彦¹ (1.横国大院工)

キーワード：光変調器、フォトニック結晶、スローライト

Si PCW変調器は，V_πLをリブ型デバイスの1/10以下に低減し，小型・低容量を実現できる．しかしEO帯域幅が38 GHzに留まっており，さらなる広帯域化が望まれている．本研究では移相器の分割数を従来の2分割から3分割以上へと増やして高周波の位相整合を改善し，加えて光と電気の遅延を用いたFIR等化技術を適用することで，シミュレーションによりEO帯域幅を改善できる見込みが得られた．