[16a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [16a-B410-1] パルス反転めっき法によるNi-W膜の作製と特性評価

〇顧 沢宇¹、Jiang Yiming¹、栗岡 智行¹、Chen Chun-Yi¹、曽根 正人¹、Tso-Fu Mark Chang¹ (1.東工大)

キーワード：微小電気機械システム、Ni-W合金、パルス反転めっき法

Ni-W 合金は、硬度、延性、耐食性、熱安定性に優れるため、微小電気機械システム (MEMS)の新たな構造材料として注目されている。一方で、MEMS 作製工程に組み込まれる電解めっきにより、平滑な表面と数十マイクロメートルの厚みを有する Ni-W 膜を形成するのは、陰極側における水素発生などの副反応が生じるため、困難である。この課題解決に向け我々は、パルスめっき (PRP: Pulse reverse plating) に着目した。PRP 法を用いることで、副反応の原因となる電極表面の吸着種の濃度を低減可能なため、水素発生などの副反応の抑制が期待できる。そこで本研究では、Ni-Wめっき膜の表面状態や機械特性に対して、めっき法が及ぼす影響について調査した。