[16a-D405-1~8] 6.6 プローブ顕微鏡

[16a-D405-5] 界面状態密度を測定できる高周波と低周波の交流バイアス電圧を用いるケルビンプローブ力分光法

和泉 遼¹、宮崎 雅人¹、李 艶君¹、〇菅原 康弘¹ (1.阪大院工)

キーワード：界面状態密度、半導体、ケルビンプローブ力顕微鏡

電界効果トランジスタなどの半導体デバイスでは、バンドギャップ内に存在する半導体界面状態がデバイスの動作特性に大きな影響を与える。そのため、半導体界面状態をナノスケールの空間分解能で直接測定できる方法が求められている。本報告では、ナノスケールの空間分解能で半導体表面の界面状態密度を測定できる力検出に基づく新たな方法を考案したので報告する。