[16a-E102-1~6] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16a-E102-5] Investigation on Growth Mechanism in α-In₂O₃ by Mist CVD Using Various In-based Powders as Raw Material

〇Takumi Yamamoto¹, Akito Taguchi¹, Rie Yamada¹, Hiroki Nagai¹, Atsushi Sekiguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tomohiro Yamaguchi¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Mist CVD, In2O3, growth mechanism

Mist CVD法は, 大気圧下での成長が可能であるため, 簡易的な装置構成かつ低コストで成膜を行う手法であり, 酸化インジウム(In₂O₃)や酸化ガリウム(Ga₂O₃)などの酸化物半導体単結晶膜が実現されている. しかし, 溶液中の反応を含め成長メカニズムのほとんどが解明されていない. 本研究ではMist CVD法による各種In系粉末を用いたα-In₂O₃成長を行った. またそれらの結果を通して結晶成長メカニズムの検討を行った.