[16a-PB05-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-PB05-1] Electronic Structures of V₁₀ in Si Crystal

Daiki Kamihara¹, Taito Shimizu¹, 〇Kazuyuki Uchida¹ (1.Kyoto Sangyo Univ.)

Keywords:semiconductor, vacancy, first-principles calculations

シリコン結晶中の10原子空孔V₁₀の原子構造と電子構造を、第一原理計算で調べた。用いたスーパーセルのサイズが「過去の報告と同じ（小さい）場合」と「今回新しく調べた、それよりも大きい場合」では、電子構造の計算結果に定性的な違いがあることが分かった。このような電子構造の違いが生じる物理的な背景および、それを反映した原子構造のヤンテラー歪みの違いについて、報告する。