[16a-PB05-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-PB05-2] Ion-exchange reaction of ternary wurtzite oxide semiconductors

〇ISSEI SUZUKI¹, Takahisa Omata¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Ion-exchange, Oxide semiconductors

酸化物とイオン結晶とのイオン交換が生じるかどうかは、反応のギブスエネルギー差（ΔG）の正負により決定される。本研究では、様々な三元系ウルツ鉱型酸化物とイオン結晶（ハロゲン化物または硝酸塩）とのイオン交換反応のΔHを第一原理計算により求めた。得られた結果は、実験結果とよく整合し、第一原理計算によって三元系ウルツ鉱型酸化物のイオン交換の可否を予測できることが示された。